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闪存、内存的猖獗涨价，让三星本年大赚特赚，虽然他们在新技能上的投入也没有手软，本日官方发布的动静显示，三星将在韩国投资186.3亿美元，以固定其在内存芯片和下一代智妙手机规模的领先职位。 之前我们曾报道了三星全球最大芯片工场将开工的动静，而此刻三星位于京畿道平泽市的新半导体工场已经正式投入出产，其主要量产的是第四代3D NAND闪存芯片，其垂直堆叠到达64层。
三星新一代64层V-NAND数据传输速度为1Gbps，提供业界最短的500微秒（?）的烧录器，烧录单个芯片的时间，比典范的10nm级的平面NAND闪存快约四倍，而比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了1.5倍。 三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这次开足马力让第四代3D NAND闪存芯片大局限出产，可以缓解闪存、SSD今朝短缺的状况，虽然也能拉低产物的售价。 接下来，三星还将通过堆叠高出90层的单位阵列，来出产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
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